3D X-DRAM Teknolojisi, 4 TB Kapasiteli RAM’lerin Yolunu Açabilir

San Jose merkezli NEO Semiconductor, 3D X-DRAM teknolojisini kullanıma sunuyor. Patentli DRAM teknolojisi, “DRAM’in kapasite bazlı darboğaz sorunlarını çözmek ve tüm 2D DRAM pazarının yerini almak” üzere geliştirildi.

Şirketin yol haritalarına göre, DRAM’de 3D NAND benzeri DRAM hücre dizilerinin uygulanması 2030 yılına kadar 1Tb belleklerin üretimini mümkün kılacak. 1 Tb (1 terabit) entegre devreler sayesinde tek bir RAM ile 2 TB gibi büyük kapasiteler sunulabilecek. Eğer 32 ayrı yonga kullanılırsa 4 TB da mümkün olabilir.



Oyuncuların çoğu halen 8 GB veya 16 GB belleklerle hayatına devam ediyor. Açıkçası 3D X-DRAM daha çok sunucular için. Mevcut DDR4 bellek teknolojisiyle 32 adet 32 Gb çip kullanıldığında sunucular için DIMM başına 128 GB’a kapasite sağlanabiliyor. DDR5 DIMM’ler ise şu anda 64 GB’a (32 adet 16Gb IC) kadar çıkabiliyor. Ancak ufukta çok daha yüksek kapasiteli bellekler var.

NEO Semiconductor, 3D NAND teknolojilerinden (SSD’lerde kullanılan) ilham alarak 3D X-DRAM teknolojisini geliştirdi. Kapasite artırmak üzere kullanılan USP için “dünyanın ilk 3D NAND benzeri DRAM hücre dizisi” olduğu iddia edilen bir çözüm benimsendi.



Yeni DRAM bellek yongaları 3D NAND benzeri bir DRAM hücre dizisi kullanacak, ancak yapının kapasitörsüz yüzer gövde hücre teknolojisine dayandığı belirtiliyor. Şirket bu değişikliğin “işlem adımlarını basitleştirdiğini ve yüksek hızlı, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli ve yüksek verimli bir çözüm sağladığını” iddia ediyor.

Technopat